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笔记本内存 –  – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
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RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 二 6/25 37.02
笔记本内存 –  – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
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GR1600S364L11S/4G
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PL111   19 二 6/25 43.92
PL122   16 二 6/25 58.35
DE712   16 五 7/5 190.96
笔记本内存 –  – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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F3-12800CL11S-4GBSQ
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PL111   8 二 6/25 48.81
PL122   14 二 6/25 52.72
DE712   2 五 7/5 187.92
笔记本内存 –  – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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GR1333S364L9S/4G
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PL111   1 二 6/25 51.46
PL160   6 二 6/25 52.78
PL122   22 二 6/25 54.19
DE712   33 五 7/5 238.17
笔记本内存 –  – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   20 二 6/25 51.46
PL569   1 二 6/25 52.60
PL122   13 二 6/25 54.19
PL309   3 三 6/26 67.44
DE712   14 五 7/5 186.10
笔记本内存 –  – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PSD44G266681S
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PL111   30+ 二 6/25 52.58
CZ016   25 四 6/27 133.49
笔记本内存 –  – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G16002S
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PL111   29 二 6/25 58.00
PL122   5 二 6/25 62.65
CZ016   4 四 6/27 139.46
笔记本内存 –  – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G240081S
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PL111   3 二 6/25 58.00
笔记本内存 –  – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L2S
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PL111   26 二 6/25 58.25
PL122   1 二 6/25 64.41
CZ016   14 四 6/27 138.58
笔记本内存 –  – TED38G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED38G1600C11-S01
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PL160   88 二 6/25 58.39
笔记本内存 –  – GR2666S464L19S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
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GR2666S464L19S/4G
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PL160   21 二 6/25 58.44
PL111   7 二 6/25 59.00
PL122   16 二 6/25 66.66
DE712   14 五 7/5 180.37
笔记本内存 –  – GR2400S464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR2400S464L17S/4G
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PL111   24 二 6/25 59.00
PL309   19 三 6/26 72.48
笔记本内存 –  – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S364L11/8G
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PL160   27 二 6/25 61.45
PL122   30 二 6/25 73.59
DE712   9 五 7/5 263.27
笔记本内存 –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2491/4GB
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PL337   2 二 6/25 61.88
PL337   7 三 7/3 61.88
DE712   7 五 7/5 232.32
笔记本内存 –  – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM2666HSH-4G
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PL569   14 二 6/25 62.31
DE712   31 五 7/5 160.40
笔记本内存 –  – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM3200HSH-4G
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PL569   12 二 6/25 62.58
DE168   1 四 6/27 115.94
笔记本内存 –  – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G160081S
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PL122   12 二 6/25 63.74
CZ016   21 四 6/27 139.46
笔记本内存 –  – PSD34G13332S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G13332S
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PL122   5 二 6/25 63.86
CZ016   13 四 6/27 140.79
笔记本内存 –  – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S3V64L11/8G
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PL111   30+ 二 6/25 70.30
PL122   26 二 6/25 73.59
PL569   8 二 6/25 80.45
PL309   8 三 6/26 97.69
DE712   27 五 7/5 208.44
笔记本内存 –  – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16LS11S6/2
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PL569   18 二 6/25 70.32
PL642   94 二 7/2 73.40
DE168   94 四 6/27 115.05
DE712   94 五 7/5 186.55
笔记本内存 –  – KCP426SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP426SS6/4
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PL033   4 二 6/25 71.48
PL309   19 三 6/26 88.66
PL569   2 二 6/25 90.24
PL642   27 二 7/2 93.38
DE168   27 四 6/27 138.71
CZ016   25 四 6/27 157.82
DE712   27 五 7/5 211.42
CZ148   11 四 6/27 279.95
笔记本内存 –  – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBSFU266X02
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LT164   5 四 6/27 71.70
笔记本内存 –  – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP432SS6/4
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PL033   3 二 6/25 71.84
PL309   13 三 6/26 91.24
PL569   6 二 6/25 91.68
CZ016   7 四 6/27 161.36
DE712   207 五 7/5 192.23
笔记本内存 –  – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
MMKN007-4GB
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PL337   49 三 7/3 74.38
DE712   49 五 7/5 243.41
笔记本内存 –  – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP008GBSFU266X02
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PL160   52 二 6/25 76.06
PL122   30 二 6/25 81.46
PL111   2 二 6/25 82.96
LT164   10 四 6/27 97.68
DE712   200 五 7/5 217.60
笔记本内存 –  – F3-1600C11S-8GSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F3-1600C11S-8GSQ
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PL111   5 二 6/25 76.14
PL122   11 二 6/25 79.28
DE712   4 五 7/5 176.84
DE712   4 五 7/5 176.84
笔记本内存 –  – TS2666HSH-4G Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TS2666HSH-4G
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PL309   1 三 6/26 77.11
笔记本内存 –  – DV.08G2K.KAM Apacer - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
DV.08G2K.KAM
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PL160   27 二 6/25 77.31
笔记本内存 –  – PSD22G8002S Patriot Signature Line - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD22G8002S
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PL569   12 二 6/25 77.99
PL122   5 二 6/25 78.88
CZ016   15 四 6/27 148.75
笔记本内存 –  – GR1333S364L98G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1333S364L98G
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PL160   6 二 6/25 79.70
PL122   14 二 6/25 88.84
DE712   14 五 7/5 226.04
笔记本内存 –  – PSD48G213381S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD48G213381S
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PL111   26 二 6/25 79.75
PL122   16 二 6/25 87.39
笔记本内存 –  – PSD48G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD48G266681S
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PL111   30+ 二 6/25 79.75
PL122   19 二 6/25 88.48
CZ016   34 四 6/27 166.23
笔记本内存 –  – MMG2494/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2494/4GB
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PL337   49 三 7/3 80.62
DE712   49 五 7/5 254.61
笔记本内存 –  – MMH9657/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码:
MMH9657/2048
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PL337   4 三 7/3 80.62
笔记本内存 –  – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码:
MMD2608/2GB
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PL337   1 三 7/3 80.62
笔记本内存 –  – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP008GBSFU320X02
库存 数量 预计配送 价格
PL111   14 二 6/25 80.68
PL122   4 二 6/25 83.75
PL160   127 二 6/25 84.26
PL569   82 二 6/25 87.80
DE712   18 五 7/5 211.36
笔记本内存 –  – CT4G4SFS8266 Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4SFS8266
库存 数量 预计配送 价格
PL033   5 二 6/25 80.81
PL591   5 二 6/25 93.85
DE181   94 四 6/27 140.48
DCPDK   3 五 6/28 169.60
DE712   13 五 7/5 201.49
笔记本内存 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4SFS824A
库存 数量 预计配送 价格
PL033   4 二 6/25 80.81
PL591   4 二 6/25 91.54
DE181   100 四 6/27 140.20
JARDE3   125 五 6/28 143.86
DCPDK   50 五 6/28 162.93
DE712   99 五 7/5 181.69
笔记本内存 –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G2666C19-S01
库存 数量 预计配送 价格
PL160   90 二 6/25 80.82
DE712   75 五 7/5 187.70
笔记本内存 –  – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G3200C22-S01
库存 数量 预计配送 价格
PL160   89 二 6/25 80.82
DE712   100 五 7/5 191.01
笔记本内存 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS008G-B3200GSST
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 6/25 80.96
LT164   4 四 6/27 108.70
DE712   497 五 7/5 246.94
笔记本内存 –  – IR-2400S464L15S/4G GOODRAM IRDM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
IR-2400S464L15S/4G
库存 数量 预计配送 价格
PL309   2 三 6/26 81.55
笔记本内存 –  – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD48G320081S
库存 数量 预计配送 价格
PL111   13 二 6/25 82.44
PL122   28 二 6/25 92.65
CZ016   100 四 6/27 164.02
笔记本内存 –  – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码:
M471A5244CB0-CWE
库存 数量 预计配送 价格
PL122   24 二 6/25 82.51
PL591   122 二 6/25 90.86
DE501   100 四 6/27 107.22
DE712   100 五 7/5 253.17
笔记本内存 –  – F3-1866C11S-8GRSL G.Skill Ripjaws F3-1866C11S-8GRSL - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F3-1866C11S-8GRSL
库存 数量 预计配送 价格
PL111   3 二 6/25 83.10
PL122   6 二 6/25 93.05
DE712   6 五 7/5 256.81
笔记本内存 –  – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F4-3200C22S-8GRS
库存 数量 预计配送 价格
PL111   2 二 6/25 84.06
PL122   19 二 6/25 89.16
PL337   6 三 7/3 160.00
DE712   58 五 7/5 189.91
笔记本内存 –  – AD4S32008G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - green
代码:
AD4S32008G22-SGN
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 二 6/25 84.06
PL122   30 二 6/25 98.39
CZ016   100 四 6/27 175.52
DE712   55 五 7/5 295.53
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
库存 数量 预计配送 价格
PL569   87 二 6/25 85.39
PL309   99 三 6/26 85.89
PL642   65 二 7/2 88.56
PL591   87 二 6/25 95.46
DE168   64 四 6/27 130.11
DE181   100 四 6/27 141.31
CZ016   100 四 6/27 156.94
DE712   64 五 7/5 167.02
HU021   6 四 7/4 168.63
笔记本内存 –  – GR2400S464L17S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR2400S464L17S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL160   33 二 6/25 85.58
PL111   18 二 6/25 89.15
PL122   30 二 6/25 93.38
PL309   11 三 6/26 104.75
DE712   10 五 7/5 214.51
笔记本内存 –  – GR2666S464L19S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR2666S464L19S/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL160   39 二 6/25 85.58
PL111   2 二 6/25 87.89
PL122   30 二 6/25 93.38
PL309   4 三 6/26 103.14
DE712   8 五 7/5 219.69