笔记本内存

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笔记本内存 – – CT4G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
笔记本内存 – – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824A
库存 数量 预计配送 价格
PL033   1 三 9/25 33.02
DE181   47 五 9/27 115.29
JARDE3   121 一 9/30 142.04
DCPDK   50 五 9/27 147.75
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600
QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
笔记本内存 – – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 三 9/25 36.74
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
库存 数量 预计配送 价格
PL111   1 三 9/25 45.85
PL122   4 三 9/25 50.99
DE712   10 一 10/7 185.50
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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PL569   4 三 9/25 49.46
PL309   4 四 9/26 64.90
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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PL111   7 三 9/25 49.58
笔记本内存 – – PSD34G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
笔记本内存 – – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G16002S
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PL111   10 三 9/25 50.78
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S
Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
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PL111   13 三 9/25 50.78
笔记本内存 – – PSD44G240081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
笔记本内存 – – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G240081S
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PL111   14 三 9/25 50.78
笔记本内存 – – PSD44G266681S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
笔记本内存 – – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266681S
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PL111   30+ 三 9/25 50.78
笔记本内存 – – TED38G1600C11-S01
Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED38G1600C11-S01
笔记本内存 – – TED38G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED38G1600C11-S01
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PL160   29 三 9/25 52.84
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
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PL569   50 三 9/25 57.11
DE168   1 五 9/27 113.93
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
笔记本内存 – – KVR16LS11S6/2 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11S6/2
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PL569   18 三 9/25 57.50
PL309   4 四 9/26 68.35
DE712   17 一 10/7 209.74
笔记本内存 – – MMG2491/4GB
CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
笔记本内存 – – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
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PL337   2 三 9/25 58.75
PL337   3 二 10/1 58.75
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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PL111   30+ 三 9/25 61.56
DE712   404 一 10/7 242.52
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
笔记本内存 – – GR2400S464L17S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2400S464L17S/4G
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PL309   14 四 9/26 67.86
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
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LT164   11 四 9/26 67.89
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
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PL111   16 三 9/25 68.41
PL160   19 三 9/25 68.85
PL122   8 三 9/25 73.59
DE712   8 一 10/7 261.91
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
库存 数量 预计配送 价格
PL111   1 三 9/25 68.41
PL122   1 三 9/25 73.59
PL309   2 四 9/26 107.62
DE712   2 一 10/7 223.08
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G
GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/4G GOODRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21328 - CL19 - 1.2 V
代码：
GR2666S464L19S/4G
库存 数量 预计配送 价格
PL122   23 三 9/25 68.82
DE712   14 一 10/7 175.81
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
库存 数量 预计配送 价格
PL111   30+ 三 9/25 68.85
PL210   21 三 9/25 71.12
LT164   2 四 9/26 88.15
DE712   49 一 10/7 180.98
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