笔记本内存

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笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MT / s / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MT / s / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
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ACMLT   8 三 10/8 14.77
DK773   0 ~ 4周 34.06
DK773   0 ~ 4周 34.06
笔记本内存 – – PSD44G266641S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266641S
笔记本内存 – – PSD44G266641S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD44G266641S
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EE010   0 ~ 4周 18.51
笔记本内存 – – V7128002GBS
V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
笔记本内存 – – V7128002GBS V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
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DE168   3 一 10/13 18.89
DE712   3 二 10/21 23.72
笔记本内存 – – S26361-F4102-L3
Fujitsu - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ESPRIMO Q558, Q958, Q958 / MRE
代码：
S26361-F4102-L3
笔记本内存 – – S26361-F4102-L3 Fujitsu - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ESPRIMO Q558, Q958, Q958 / MRE
代码：
S26361-F4102-L3
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DK773   0 ~ 4周 22.11
DK773   0 ~ 4周 22.11
笔记本内存 – – CT4G4SFS824AT
Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824AT
笔记本内存 – – CT4G4SFS824AT Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT4G4SFS824AT
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DK773   0 ~ 4周 22.11
DK773   0 ~ 4周 22.11
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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AKTPL   3 四 10/9 23.80
PL111   6 一 10/13 27.28
笔记本内存 – – MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
CoreParts - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
笔记本内存 – – MMDDR2-5300/1GBSO-128M8 CoreParts - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
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DK773   0 ~ 4周 24.35
DK773   0 ~ 4周 24.35
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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AKTPL   19 四 10/9 24.60
PL111   30 一 10/13 27.28
笔记本内存 – – TS512MSH64V2D
Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码：
TS512MSH64V2D
笔记本内存 – – TS512MSH64V2D Transcend - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码：
TS512MSH64V2D
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DK773   0 ~ 4周 25.10
DK773   0 ~ 4周 25.10
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
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AKTPL   14 四 10/9 26.33
笔记本内存 – – KCP432SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MT / s / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
笔记本内存 – – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MT / s / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
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LV025   24 三 10/8 26.51
CZ017   10 五 10/10 38.54
CZ015   2 一 10/13 40.09
CZ016   2 五 10/10 43.25
DE712   5 二 10/21 52.55
APIDE   5 二 10/14 54.77
KOSEE2   2 四 10/16 68.05
EE010   0 ~ 4周 28.64
F9BLTL   0 ~ 4周 51.35
DK773   0 ~ 4周 53.48
DK773   0 ~ 4周 53.48
笔记本内存 – – TED34G1600C11-S01
Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
笔记本内存 – – TED34G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
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DK773   0 ~ 4周 26.60
DK773   0 ~ 4周 26.60
笔记本内存 – – IN3V4GNAJKXLV
Integral - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
IN3V4GNAJKXLV
笔记本内存 – – IN3V4GNAJKXLV Integral - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
IN3V4GNAJKXLV
库存 数量 预计配送 价格
DK773   0 ~ 4周 27.06
DK773   0 ~ 4周 27.06
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S
Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
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PL111   12 一 10/13 27.08
CZ016   16 五 10/10 35.34
EE010   0 ~ 4周 19.18
DK773   0 ~ 4周 34.81
DK773   0 ~ 4周 34.81
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7
CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
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EE010   0 ~ 4周 27.97
笔记本内存 – – SP008GLSTU160N02
SILICON POWER - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GLSTU160N02
笔记本内存 – – SP008GLSTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GLSTU160N02
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AKTPL   6 四 10/9 28.05
DK773   0 ~ 4周 44.52
DK773   0 ~ 4周 44.52
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S364L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11/8G
库存 数量 预计配送 价格
AKTPL   3 四 10/9 28.23
PL111   30 一 10/13 31.55
CZ017   10 五 10/10 34.78
PL160   5 一 10/13 51.97
笔记本内存 – – PSD38G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
笔记本内存 – – PSD38G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
库存 数量 预计配送 价格
AKTPL   13 四 10/9 28.42
PL111   25 一 10/13 36.25
CZ016   81 五 10/10 39.36
EE010   0 ~ 4周 29.52
DK773   0 ~ 4周 42.28
DK773   0 ~ 4周 42.28
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11/8G
库存 数量 预计配送 价格
AKTPL   18 四 10/9 28.42
CZ017   3 五 10/10 35.14
DE712   4 二 10/21 50.31
笔记本内存 – – CMSO4GX3M1A1333C9
CORSAIR - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO4GX3M1A1333C9
笔记本内存 – – CMSO4GX3M1A1333C9 CORSAIR - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO4GX3M1A1333C9
库存 数量 预计配送 价格
EE010   0 ~ 4周 28.59
DK773   0 ~ 4周 50.49
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