笔记本内存

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笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP004GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP004GBSFU266X02
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ACMLT   7 一 5/26 15.36
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
库存 数量 预计配送 价格
ACMLT   10 一 5/26 18.71
LV025   50 一 5/26 20.22
AKTPL   83 三 5/28 29.07
PL111   30+ 四 5/29 30.85
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU266X02
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ACMLT   20 一 5/26 19.74
AKTPL   37 三 5/28 30.22
PL111   30+ 四 5/29 32.07
笔记本内存 – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
笔记本内存 – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-3200C22S-8GRS
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LV025   100 一 5/26 20.15
EE799   5 三 5/28 22.84
AKTPL   7 三 5/28 29.06
PL111   9 四 5/29 31.81
笔记本内存 – – F4-2666C19S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GRS
笔记本内存 – – F4-2666C19S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F4-2666C19S-8GRS
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ACMLT   35 一 5/26 20.22
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02
SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
笔记本内存 – – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GBSFU320X02
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ACMLT   17 一 5/26 21.22
PL111   22 四 5/29 32.07
笔记本内存 – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
笔记本内存 – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
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DE168   4 四 5/29 21.55
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   60 四 5/29 21.95
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S8/8
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S8/8
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EE010   4 一 5/26 22.48
笔记本内存 – – PSD34G160081S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
笔记本内存 – – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
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AKTPL   5 三 5/28 22.95
CZ016   1 三 5/28 34.65
笔记本内存 – – PSD48G320081S
Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G320081S
笔记本内存 – – PSD48G320081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD48G320081S
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EE010   6 三 5/28 23.11
AKTPL   15 三 5/28 29.08
PL111   30+ 四 5/29 33.70
CZ016   9 三 5/28 40.14
PL160   8 四 5/29 51.06
笔记本内存 – – CMSO8GX4M2A2133C15
CORSAIR Value Select - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO8GX4M2A2133C15
笔记本内存 – – CMSO8GX4M2A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO8GX4M2A2133C15
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DK773   1 三 5/28 23.17
笔记本内存 – – KCP432SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
笔记本内存 – – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
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LV025   19 一 5/26 23.29
CZ015   4 四 5/29 34.82
CZ017   11 三 5/28 35.56
DE168   11 四 5/29 35.77
CZ016   20 三 5/28 39.80
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   15 四 5/29 23.57
笔记本内存 – – PSD38G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
笔记本内存 – – PSD38G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
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EE010   19 三 5/28 23.58
AKTPL   9 三 5/28 29.43
PL111   30+ 四 5/29 30.17
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S364L11S/4G
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AKTPL   8 三 5/28 23.75
PL111   30+ 四 5/29 27.07
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
笔记本内存 – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1600S3V64L11S/4G
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AKTPL   10 三 5/28 23.91
PL111   30+ 四 5/29 27.07
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G
GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
笔记本内存 – – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR1333S364L9S/4G
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AKTPL   11 三 5/28 23.91
笔记本内存 – – V7128002GBS
V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
笔记本内存 – – V7128002GBS V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   8 四 5/29 24.16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
库存 数量 预计配送 价格
EE799   5 三 5/28 24.58
EE010   28 三 5/28 26.24
EE010   18 三 5/28 26.36
ALSFI1   18 二 5/27 35.05
AKTPL   5 三 5/28 35.29
DE168   152 四 5/29 38.00
CZ015   101 四 5/29 38.45
CZ016   7 三 5/28 41.55
DK773   2 三 5/28 41.60
CZ148   7 三 5/28 42.27
DE181   64 四 5/29 47.67
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