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DRAM –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4SFS824A
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PL033   1 二 9/24 33.00
DE181   47 四 9/26 115.28
JARDE3   121 五 9/27 142.02
DCPDK   50 五 9/27 147.73
DE712   50 五 10/4 168.43
DRAM –  – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码:
RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 二 9/24 36.68
DRAM –  – PSD34G16002 Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G16002
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PL111   16 二 9/24 43.64
PL122   3 二 9/24 60.90
LV156   20 四 9/26 76.80
DRAM –  – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GLLTU160N02
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PL122   30 二 9/24 44.78
DRAM –  – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F3-12800CL11S-4GBSQ
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PL111   1 二 9/24 45.85
PL122   4 二 9/24 50.99
DE712   10 五 10/4 185.48
DRAM –  – PSD34G133381 Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G133381
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PL111   30+ 二 9/24 48.44
DRAM –  – PSD34G13332 Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G13332
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PL122   7 二 9/24 49.14
DRAM –  – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S3V64L11S/4G
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PL569   16 二 9/24 49.46
PL122   1 二 9/24 54.19
PL309   4 三 9/25 64.81
DRAM –  – GR1600D3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600D3V64L11S/4G
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PL569   21 二 9/24 49.46
DRAM –  – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S364L11S/4G
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PL111   7 二 9/24 49.58
DRAM –  – GR1600D364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600D364L11S/4G
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PL111   17 二 9/24 49.58
PL309   5 三 9/25 60.02
DE712   5 五 10/4 201.59
DRAM –  – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G16002S
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PL111   10 二 9/24 50.70
DRAM –  – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L2S
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PL111   13 二 9/24 50.70
DRAM –  – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G240081S
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PL111   28 二 9/24 50.70
DRAM –  – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G266681S
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PL111   30+ 二 9/24 50.70
DRAM –  – PSD34G1600L81 Patriot Signature Line - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L81
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PL111   18 二 9/24 50.70
DRAM –  – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBLFU266X02
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PL122   4 二 9/24 51.44
LT164   3 三 9/25 65.31
DRAM –  – PSD44G266681 Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G266681
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PL569   71 二 9/24 51.68
DRAM –  – TED38G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED38G1600C11-S01
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PL160   30 二 9/24 52.84
DRAM –  – GR1333S364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1333S364L9S/4G
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PL122   8 二 9/24 54.19