Samsung 870 EVO MZ-77E500BW - SSD - chiffré - 500 Go - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 512 Mo - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Code du produit MZ-77E500BW
Marque Samsung
Garantie 12 Mois
Pour but illustratif seulement
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DK773 55 14/08/2026 ~ Date Appro. inconnue 303,00
Description du produit
Samsung 870 EVO MZ-77E500BW - SSD - 500 Go - SATA 6Gb/s
Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule multiniveaux (MLC)
Format
2.5"
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
512 Mo
Caractéristiques
3-bit V-NAND Technology, Samsung MKX Controller, Low Power DDR4 SDRAM Cache, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, TurboWrite Technology, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH)
6.985 mm x 100 mm x 6.8 mm
Poids
45 g
Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule multiniveaux (MLC)
Format
2.5"
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
512 Mo
Caractéristiques
3-bit V-NAND Technology, Samsung MKX Controller, Low Power DDR4 SDRAM Cache, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, TurboWrite Technology, S.M.A.R.T.
Largeur
6.985 mm
Profondeur
100 mm
Hauteur
6.8 mm
Poids
45 g
Endurance SSD
300 TB
Débit de transfert interne
560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
13000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
36000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
98000 IOPS
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Interfaces
1 x SATA 6 Gb/s
Baie compatible
2.5"
Consommation électrique
2.2 watt (moyenne) ¦ 3.5 watt (maximum) ¦ 30 mW (inactif)
Logiciel(s) inclus
Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Normes de conformité
IEEE 1667, WWN
Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1500 g @ 0.5 ms half-sine