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DRAM –  – RAM-2GDR3-SO-1600 QNAP - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
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RAM-2GDR3-SO-1600
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FENPL   8 四 9/26 36.74
DRAM –  – PSD34G16002 Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.7 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G16002
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PL111   16 四 9/26 38.99
PL122   3 四 9/26 60.90
LV156   16 一 9/30 77.28
DRAM –  – PSD34G133381 Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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PSD34G133381
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PL111   30+ 四 9/26 43.82
DRAM –  – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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SP004GLLTU160N02
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PL122   30 四 9/26 44.89
DRAM –  – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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F3-12800CL11S-4GBSQ
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PL111   1 四 9/26 45.85
PL122   4 四 9/26 50.99
DE712   10 三 10/9 184.99
DRAM –  – PSD34G1600L81 Patriot Signature Line - DDR3L - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L81
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PL111   18 四 9/26 48.64
DRAM –  – GR1600D3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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GR1600D3V64L11S/4G
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PL569   19 四 9/26 49.46
DRAM –  – GR1600S364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S364L11S/4G
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PL111   6 四 9/26 49.58
DRAM –  – GR1333D364L9S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1333D364L9S/4G
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PL111   15 四 9/26 49.58
DRAM –  – GR1600D364L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600D364L11S/4G
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PL111   15 四 9/26 49.58
PL309   4 五 9/27 60.09
DE712   4 三 10/9 200.85
DRAM –  – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
GR1600S3V64L11S/4G
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PL111   20 四 9/26 49.58
PL309   4 五 9/27 64.88
DRAM –  – PSD34G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G16002S
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PL111   10 四 9/26 50.91
DRAM –  – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD34G1600L2S
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PL111   12 四 9/26 50.91
DRAM –  – PSD44G240081S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G240081S
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PL111   12 四 9/26 50.91
DRAM –  – PSD44G266681S Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G266681S
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PL111   30+ 四 9/26 50.91
DRAM –  – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP004GBLFU266X02
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PL122   4 四 9/26 51.56
LT164   3 五 9/27 65.36
DRAM –  – PSD44G266681 Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G266681
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PL569   69 四 9/26 51.74
DRAM –  – TED38G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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TED38G1600C11-S01
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PL160   29 四 9/26 52.84
DRAM –  – AD4U26664G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
AD4U26664G19-SGN
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PL309   1 五 9/27 55.30
DRAM –  – PSD44G266682 Patriot Signature Line - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
PSD44G266682
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PL569   8 四 9/26 55.79