Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0

Kategorie Solid-State-Laufwerke
Produktcode MZ-V9E2T0BW
Marke Samsung
Garantie 12 Monate
Die Bilder können vom Original abweichen
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KOSAT 100 16.10.2026 Zulauf unbekannt 390,48
JCBAT2 100 20.10.2026 Zulauf unbekannt 428,89
SYAT 5 09.10.2026 Zulauf unbekannt 436,74
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Produktbeschreibung
Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2GB LPDDR4 DRAM-Cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Gewicht
9 g
Herstellergarantie
5 Jahre Garantie
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2GB LPDDR4 DRAM-Cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 4200 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
22000 IOPS
4 KB Random Write
90000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
800000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
700000 IOPS
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Energieverbrauch
5.4 watt (Lesen) ¦ 4.7 watt (Schreiben)
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Kennzeichnung
IEEE 1667
Verpackungsdetails
Box
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
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