MARKIT – samsung 870 qvo mz-77q8t0bw - ssd - chiffré

Catégorie Disques durs électroniques / SSD

Code du produit MZ-77Q8T0BW

Marque Samsung

Garantie 24 Mois

Pour but illustratif seulement

Grossistes	Quantité de stock disponible	Date de livraison estimée	Prix	USD USD (Défaut) EUR USD TVA
ARETR	10+	01/05/2024 ~ Date Appro. inconnue	1 090,58

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Caractéristiques du produit

Enhanced in everyway
Achieving the maximum SATA interface limit of high sequential speeds, the 870 QVO features improved random speed and sustained performance compared to the previous 860 QVO. Intelligent TurboWrite accelerates write speeds and maintains long-term high performance with a larger variable buffer.
Enjoy max capacity
With the 870 QVO, users can now enjoy and thrive in the large SSD computing environment with an approachable price.
Upgrade with ease
Upgrading to the 870 QVO is made easy for anyone with a desktop PC or laptop that supports a standard 2.5-inch SATA form factor. Enjoying this SSD is as convenient as plugging in the 870 QVO into a SATA slot.

Description du produit: Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - 8 To - SATA 6Gb/s
Type: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 8 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format: 2.5"
Interface: SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon: 8 Go
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Dimensions (LxPxH): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Poids: 57 g
Garantie du fabricant: Garantie de 3 ans

Type de périphérique: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 8 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format: 2.5"
Interface: SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon: 8 Go
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur: 69.85 mm
Profondeur: 100 mm
Hauteur: 6.8 mm
Poids: 57 g
Endurance SSD: 2.88 PB
Débit de transfert interne: 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko: 11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko: 35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: 88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko: 98000 IOPS
Fiabilité MTBF: 1,500,000 heures
Interfaces: 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible: 2.5"
Consommation électrique: 3.3 Watt (moyenne) ¦ 5.5 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif)
Service et maintenance: Garantie limitée - 3 ans
Température minimale de fonctionnement: 0 °C
Température maximale de fonctionnement: 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement): 0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos): 1500 g @ 0,5 ms