DRAM

Paràmetres del producte

En estoc (16250)
Tot (20427)
Lliurament per
Lliurament per data: dimarts 18/06 (0)dimecres 19/06 (412)dijous 20/06 (1037)divendres 21/06 (2954)dimarts 25/06 (3785)
Marca
Kingston (762)Crucial (151)Patriot Memory (173)G.Skill (338)Wilk Elektronik (92)Lenovo (140)Lexar (51)Samsung (74)HP Inc. (113)Corsair Microsystems (397)Hewlett Packard Enterprise (131)
Capacitat de la RAM
 - 
Preu
 - 
  EUR
Sol·licitar
Cerca
Restabliment
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
DRAM – – F3-1600C11S-4GNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-1600C11S-4GNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   50 dc. 19/6 13,10
ACMLT   55 dc. 19/6 17,40
DRAM – – GR1600S3V64L11S/4G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11S/4G
DRAM – – GR1600S3V64L11S/4G GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11S/4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   1 dv. 21/6 15,73
AKTPL   17 dj. 20/6 23,46
PL111   20 dt. 25/6 26,69
CZ017   3 dv. 21/6 32,49
DE712   19 dt. 2/7 56,49
DRAM – – SP004GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
DRAM – – SP004GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   9 dv. 21/6 16,59
ACMLT   2 dc. 19/6 20,22
AKTPL   37 dj. 20/6 25,41
HU021   20 dc. 26/6 50,01
DE712   37 dt. 2/7 61,93
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT
G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
DRAM – – F3-10600CL9S-4GBNT G.Skill NT Series - DDR3 - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F3-10600CL9S-4GBNT
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
ACMLT   10 dc. 19/6 17,10
APIDE   24 dc. 26/6 37,62
DE712   24 dt. 2/7 48,21
DRAM – – JM2666HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM2666HSH-4G
DRAM – – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM2666HSH-4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   14 dv. 21/6 18,19
CZ015   11 dt. 25/6 31,60
CZ148   2 dv. 21/6 37,38
APIDE   7 dc. 26/6 45,02
DE712   31 dt. 2/7 50,42
DRAM – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HSH-4G
DRAM – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HSH-4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   12 dv. 21/6 18,28
DE168   1 dt. 25/6 30,59
CZ015   101 dt. 25/6 30,85
APIDE   28 dc. 26/6 42,15
DRAM – – CMSO4GX4M1A2133C15
CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CMSO4GX4M1A2133C15
DRAM – – CMSO4GX4M1A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
CMSO4GX4M1A2133C15
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   1 dv. 21/6 20,57
DE244   25 dt. 25/6 36,89
DE712   25 dt. 2/7 55,68
DRAM – – JM3200HLH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HLH-4G
DRAM – – JM3200HLH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
JM3200HLH-4G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   8 dv. 21/6 20,80
DE712   103 dt. 2/7 60,78
DRAM – – 432668-001
HPE - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC
CODI:
432668-001
DRAM – – 432668-001 HPE - DDR2 - módulo - 2 GB - DIMM de 240 contactos - 667 MHz / PC2-5300 - registrado - ECC
CODI:
432668-001
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
DK773   1 dv. 21/6 21,75
DRAM – – KVR26N19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/4
DRAM – – KVR26N19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR26N19S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   21 dc. 19/6 21,86
CZ015   11 dt. 25/6 36,56
SOMLT2   10 dl. 1/7 36,80
CZ017   100 dv. 21/6 38,43
DE244   8 dt. 25/6 40,41
CZ016   24 dv. 21/6 41,74
DE181   35 dt. 25/6 46,19
APIDE   2 dc. 26/6 48,54
ALSDE-2   28 dj. 27/6 49,75
DE712   28 dt. 2/7 52,23
DRAM – – SP004GLLTU160N02
SILICON POWER - DDR3L - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GLLTU160N02
DRAM – – SP004GLLTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - módulo - 4 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP004GLLTU160N02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
AKTPL   19 dj. 20/6 22,05
HU021   5 dc. 26/6 47,52
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AS008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dc. 19/6 22,45
ACMLT   5 dc. 19/6 28,74
PL111   30+ dt. 25/6 34,55
APIDE   93 dc. 26/6 49,69
DE712   93 dt. 2/7 74,43
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
LD4AU008G-B3200GSST
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dc. 19/6 22,45
ACMLT   15 dc. 19/6 27,89
PL111   30+ dt. 25/6 35,18
APIDE   50 dc. 26/6 48,43
DE712   50 dt. 2/7 59,39
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS
G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
DRAM – – F4-3200C22S-8GRS G.Skill Ripjaws - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C22S-8GRS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dc. 19/6 22,56
EE799   29 dj. 20/6 25,89
AKTPL   29 dj. 20/6 35,79
PL111   5 dt. 25/6 36,30
SOMLT2   6 dl. 1/7 40,35
DK773   6 dv. 21/6 51,89
DRAM – – KVR32N22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/4
DRAM – – KVR32N22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 4 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
KVR32N22S6/4
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   19 dc. 19/6 22,80
CZ017   8 dv. 21/6 36,89
DE244   67 dt. 25/6 39,70
APIDE   6 dc. 26/6 48,48
ALSDE-2   1 dj. 27/6 50,00
DRAM – – SP008GBLFU266X02
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
DRAM – – SP008GBLFU266X02 SILICON POWER - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
SP008GBLFU266X02
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   12 dv. 21/6 22,96
ACMLT   2 dc. 19/6 26,55
AKTPL   167 dj. 20/6 32,16
PL111   21 dt. 25/6 35,04
SOMLT2   2 dl. 1/7 36,98
PL160   2 dt. 25/6 54,29
DE712   7 dt. 2/7 66,00
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS
G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
DRAM – – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
F4-3200C16S-8GIS
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
LV025   100 dc. 19/6 23,14
ACMLT   33 dc. 19/6 27,54
AKTPL   18 dj. 20/6 36,50
PL111   2 dt. 25/6 37,61
DE181   61 dt. 25/6 46,99
APIDE   100 dc. 26/6 50,14
DE712   100 dt. 2/7 64,64
DRAM – – GR1600S3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11/8G
DRAM – – GR1600S3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600S3V64L11/8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   8 dv. 21/6 23,16
AKTPL   48 dj. 20/6 28,30
PL111   30+ dt. 25/6 31,57
CZ017   8 dv. 21/6 40,43
DE712   51 dt. 2/7 62,45
DRAM – – GR1600D3V64L11/8G
GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11/8G
DRAM – – GR1600D3V64L11/8G GOODRAM - DDR3 - módulo - 8 GB - DIMM de 240 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC
CODI:
GR1600D3V64L11/8G
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   4 dv. 21/6 23,16
AKTPL   10 dj. 20/6 28,30
CZ017   10 dv. 21/6 39,11
PL160   41 dt. 25/6 51,33
DE712   12 dt. 2/7 62,48
DRAM – – PSD48G266681
Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G266681
DRAM – – PSD48G266681 Patriot Signature Line - DDR4 - módulo - 8 GB - DIMM de 288 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC
CODI:
PSD48G266681
Estoc Quant. Lliur. est. Preu
EE010   31 dv. 21/6 23,40
LV011   4 dc. 19/6 27,25
AKTPL   19 dj. 20/6 31,99
SOMLT2   4 dl. 1/7 36,16
CZ016   56 dv. 21/6 42,31
Please give your consent to allow us to use cookies to make your browsing experience better. Read our Cookie Policy.
I accept