笔记本内存

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笔记本内存 –  – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED44G2666C19-S01
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EXSI   10 二 4/30 17.32
笔记本内存 –  – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   74 二 4/30 18.10
笔记本内存 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4SFS824A
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EVSSI   22 二 4/30 23.12
EXSI   23 二 4/30 24.79
JARDE2   127 一 5/6 37.77
APIDE   1 三 5/8 44.19
KOSDES   39 一 5/6 48.07
DE712   236 三 5/8 54.64
笔记本内存 –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G2666C19-S01
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ASBSI   1 二 4/30 23.84
DE712   100 三 5/8 58.60
笔记本内存 –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753001GBS
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DE168   18 一 5/6 25.30
DE712   18 三 5/8 52.08
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
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PCPSI   4 二 4/30 25.33
EXSI   7 二 4/30 26.56
ALSDE-2   25 二 5/7 36.51
CZ016   100 一 5/6 38.70
CZ017   99 一 5/6 43.48
APIDE   46 三 5/8 43.79
HU028   4 三 5/8 47.12
FI896   2 三 5/8 48.04
KOSDES   24 一 5/6 49.19
DE712   25 三 5/8 50.63
HU021   10 二 5/7 56.69
笔记本内存 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   403 二 4/30 25.36
ASBSI   195 二 4/30 28.10
PL111   30+ 一 5/6 39.14
APIDE   101 三 5/8 46.31
DE712   108 三 5/8 73.90
笔记本内存 –  – MEM5002A 2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - unbuffered - non-ECC
代码:
MEM5002A
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CZ148   2 一 5/6 26.61
笔记本内存 –  – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码:
CT8G4DFRA32AT
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ASBSI   57 二 4/30 27.01
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/8
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AVTSI   3 二 4/30 27.13
ALSDE-2   25 二 5/7 41.99
DE168   14 一 5/6 42.69
CZ016   100 一 5/6 43.31
CZ148   41 一 5/6 44.36
CZ017   99 一 5/6 47.31
APIDE   12 三 5/8 49.00
HU028   5 三 5/8 51.95
KOSDES   100 一 5/6 53.05
DE712   16 三 5/8 57.78
笔记本内存 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-LV
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DE168   102 一 5/6 27.44
DE712   102 三 5/8 52.00
笔记本内存 –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   169 一 5/6 27.44
DE712   169 三 5/8 39.63
笔记本内存 –  – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
KF426S15IB/8
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AVTSI   1 二 4/30 27.61
DE168   28 一 5/6 43.09
CZ016   29 一 5/6 43.76
PL111   1 一 5/6 45.52
CZ017   99 一 5/6 47.70
APIDE   10 三 5/8 49.92
HU028   1 三 5/8 53.40
DE712   28 三 5/8 56.42
笔记本内存 –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106004GBS
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DE168   46 一 5/6 27.66
DE712   46 三 5/8 41.61
笔记本内存 –  – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFRA32A
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ASBSI   171 二 4/30 27.71
CZ016   41 一 5/6 44.02
CZ017   25 一 5/6 48.09
PL591   18 一 5/6 49.51
KOSDES   500 一 5/6 50.24
DCSSID   39 三 5/8 51.08
DK565   50 一 5/6 53.29
笔记本内存 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码:
KVR32S22S6/8
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AVTSI   10 二 4/30 27.77
ASBSI   47 二 4/30 29.85
EXSI   4 二 4/30 34.27
ALSDE-2   54 二 5/7 42.64
DE168   56 一 5/6 43.31
CZ016   33 一 5/6 44.02
PL111   30+ 一 5/6 45.77
APIDE   99 三 5/8 50.03
CZ017   42 一 5/6 50.24
HU028   9 三 5/8 53.40
DE712   56 三 5/8 56.24
笔记本内存 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753002GBS
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DE168   35 一 5/6 27.90
DE712   35 三 5/8 49.86
笔记本内存 –  – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码:
V742002GBS
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DE168   45 一 5/6 27.90
DE712   45 三 5/8 52.90
笔记本内存 –  – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
V764002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   66 一 5/6 27.90
DE712   66 三 5/8 50.18
笔记本内存 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码:
V785004GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   55 一 5/6 27.90
DE712   55 三 5/8 42.02