笔记本内存

笔记本内存 –  – SP008GLSTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP008GLSTU160N02
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ASBRS   0 ~ 4周 1,231.76
笔记本内存 –  – SP008GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP008GBSFU320X02
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COMRS   20 二 5/20 1,868.47
ASBRS   34 二 5/20 1,892.88
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1333 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
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COMRS   4 二 5/20 2,203.36
笔记本内存 –  – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S6/4
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COMRS   10 二 5/20 2,295.80
笔记本内存 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS008G-B3200GSST
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ASBRS   8 二 5/20 2,296.53
笔记本内存 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码:
KVR32S22S6/8
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COMRS   2 二 5/20 2,419.08
ASBRS   99 二 5/20 2,463.54
笔记本内存 –  – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFRA32A
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ASBRS   39 二 5/20 2,491.38
笔记本内存 –  – KVR56S46BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 2800 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码:
KVR56S46BS6-8
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ALSRS   1 三 5/21 3,050.70
笔记本内存 –  – CT8G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 2400 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G48C40S5
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ASBRS   30 二 5/20 3,326.47
笔记本内存 –  – CT8G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 2800 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码:
CT8G56C46S5
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ASBRS   20 二 5/20 3,326.47
笔记本内存 –  – SP016GBSFU320X02 SILICON POWER - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
SP016GBSFU320X02
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COMRS   20 二 5/20 3,421.13
ASBRS   0 ~ 4周 3,258.28
笔记本内存 –  – LD5S08G56C46ST-BGS Lexar - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 2800 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码:
LD5S08G56C46ST-BGS
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ASBRS   0 ~ 4周 3,437.83
笔记本内存 –  – LD4AS016G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS016G-B3200GSST
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ASBRS   17 二 5/20 3,841.46
笔记本内存 –  – KVR32S22D8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码:
KVR32S22D8/16
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KIMRS   5+ 二 5/20 4,066.89
ASBRS   0 ~ 4周 3,841.46
笔记本内存 –  – CT16G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT16G4SFRA32A
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ASBRS   60 二 5/20 4,203.33
笔记本内存 –  – AD4S320016G22-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
AD4S320016G22-SGN
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KIMRS   10+ 二 5/20 4,343.63
笔记本内存 –  – KVR16LS11/8 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16LS11/8
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COMRS   13 二 5/20 5,263.29
笔记本内存 –  – SP016GBSVU480F02 SILICON POWER - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 200-pin - 2400 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - on-die ECC
代码:
SP016GBSVU480F02
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COMRS   10 二 5/20 5,289.61
ASBRS   13 二 5/20 5,692.59
笔记本内存 –  – CT16G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 2400 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT16G48C40S5
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ASBRS   49 二 5/20 5,609.08
笔记本内存 –  – KVR16S11/8 Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16S11/8
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COMRS   2 二 5/20 5,644.88