GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC

Categoria: DDR3
Codi GR1600S3V64L11S/4G
Garantia 0 - 120 Mesos
MARCA DEL FABR.
 
Desconegut
PL111
 
Desconegut
PL122
 
Desconegut
PL160
 
Desconegut
PL309
 
99 Mesos
DE712
 
Desconegut
PL569
 
120 Mesos
Imatges només amb fins il·lustratius
Estoc Quant. Lliurament est. Preu
IVA
PL111 20 3/6/2024 ~ 4 setmanes 51,46
PL122 25 3/6/2024 ~ 4 setmanes 54,19
PL160 9 3/6/2024 ~ 4 setmanes 54,76
PL309 3 4/6/2024 ~ 4 setmanes 65,98
DE712 5 13/6/2024 ~ 4 setmanes 185,69
PL569 0 ~ 4 setmanes 52,60
Descripción del producto
GOODRAM - DDR3 - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 contactos - 1600 MHz / PC3-12800 - sin búfer
Tipo de producto
Módulo de memoria
Capacidad
4 GB
Tipo de memoria
DDR3 SDRAM - SO DIMM de 204 contactos
Tipo de actualización
Genérica
Comprobación integridad datos
No ECC
Velocidad
1600 MHz (PC3-12800)
Tiempos de latencia
CL11
Características
Fila única, baja tensión, sin búfer
Tensión
1.35 V
Garantía del fabricante
Garantía limitada de por vida
Capacidad
4 GB
Tipo de actualización
Genérica
Tipo
DRAM módulo de memoria
Tecnología
DDR3 SDRAM
Factor de forma
SO DIMM de 204 contactos
Velocidad
1600 MHz (PC3-12800)
Tiempos de latencia
CL11
Comprobación integridad datos
No ECC
Características
Fila única, baja tensión, sin búfer
Organización de los chips
512 x 8
Tensión
1.35 V
Servicio y mantenimiento
Garantía limitada de por vida