Samsung 980 MZ-V8V500BW - SSD - chiffré - 500 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Code du produit MZ-V8V500BW
Marque Samsung
Garantie 12 Mois
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DK773 74 27/03/2026 ~ Date Appro. inconnue 229,66
Description du produit
Samsung 980 MZ-V8V500BW - SSD - 500 Go - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Host Memory Buffer (HMB), Samsung Pablo Controller, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids
8 g
Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Host Memory Buffer (HMB), Samsung Pablo Controller, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Largeur
22.15 mm
Profondeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
8 g
Endurance SSD
300 TB
Débit de transfert interne
3100 Mo/s (lecture) / 2600 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
17000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
54000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
470000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
400000 IOPS
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Interfaces
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible
M.2 2280
Consommation électrique
4.3 Watt (moyenne) ¦ 5.9 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif)
Logiciel(s) inclus
Samsung Magician Software
Normes de conformité
IEEE 1667
Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1500 g @ 0.5 ms half-sine