Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW - SSD - chiffré - 2 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 2 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Catégorie Disques durs électroniques / SSD
Code du produit MZ-77Q2T0BW
Marque Samsung
Garantie 12 Mois
Pour but illustratif seulement
Grossistes Quantité de stock disponible Date de livraison estimée Prix
TVA
DK773 7 21/09/2026 ~ Date Appro. inconnue 901,82
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Description du produit
Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW - SSD - 2 To - SATA 6Gb/s
Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
2 To
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format
2.5"
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
2 Go
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Dimensions (LxPxH)
69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Poids
46 g
Garantie du fabricant
Garantie de 3 ans
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
2 To
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format
2.5"
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
2 Go
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur
69.85 mm
Profondeur
100 mm
Hauteur
6.8 mm
Poids
46 g
Endurance SSD
720 TB
Débit de transfert interne
560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
98000 IOPS
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Interfaces
1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible
2.5"
Consommation électrique
3.3 watt (moyenne) ¦ 5.5 watt (maximum) ¦ 0.045 watt (inactif)
Service et maintenance
Garantie limitée - 3 ans
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos)
1500 g @ 0,5 ms
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