SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sin búfer - no ECC

Categoría: DDR4
Código SP004GBSFU266X02
Garantía Desconocido
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Stock Cant. Entrega est. Precio
IVA
ESPES 3 23/05/2024 ~ 4 semanas 13,20
Descripción del producto
SILICON POWER - DDR4 - módulo - 4 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 2666 MHz / PC4-21300 - sin búfer
Tipo de producto
Módulo de memoria
Capacidad
4 GB
Tipo de memoria
DDR4 SDRAM - SO-DIMM de 260 contactos
Tipo de actualización
Genérica
Comprobación integridad datos
No ECC
Velocidad
2666 MHz (PC4-21300)
Tiempos de latencia
CL19
Características
Sin búfer
Tensión
1.2 V
Garantía del fabricante
Garantía limitada de por vida
Capacidad
4 GB
Tipo de actualización
Genérica
Tipo
DRAM módulo de memoria
Tecnología
DDR4 SDRAM
Factor de forma
SO-DIMM de 260 contactos
Velocidad
2666 MHz (PC4-21300)
Tiempos de latencia
CL19
Comprobación integridad datos
No ECC
Características
Sin búfer
Tensión
1.2 V
Cumplimiento de normas
FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Servicio y mantenimiento
Garantía limitada de por vida