笔记本内存

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笔记本内存 – – MMG2491/4GB
CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
笔记本内存 – – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2491/4GB
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DK773   2 二 5/6 127.03
笔记本内存 – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
笔记本内存 – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
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DE168   6 四 5/8 134.18
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
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TDDK   1537 二 5/6 135.12
DK773   21 二 5/6 178.84
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   60 四 5/8 136.60
DE712   60 五 5/23 248.43
笔记本内存 – – JM3200HSB-8G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSB-8G
笔记本内存 – – JM3200HSB-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSB-8G
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TDDK   4 二 5/6 143.85
DE168   9 四 5/8 202.22
DE712   4 五 5/23 351.36
笔记本内存 – – JM3200HSG-8G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
笔记本内存 – – JM3200HSG-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
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TDDK   60 二 5/6 143.85
DE168   22 四 5/8 202.22
APIDE   7 一 5/12 235.98
DE712   60 五 5/23 397.38
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-12800CL11S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-12800CL11S-4GBSQ
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DK060   11 四 5/15 145.91
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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DK773   75 二 5/6 148.62
DK060   50 四 5/15 207.27
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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DK773   46 二 5/6 148.62
DK060   46 四 5/15 186.82
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
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DK060   8 四 5/15 149.32
笔记本内存 – – V7128002GBS
V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
笔记本内存 – – V7128002GBS V7 - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128002GBS
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DE168   8 四 5/8 150.24
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   41 四 5/8 150.93
DE712   41 五 5/23 280.73
笔记本内存 – – PSD38G16002S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
笔记本内存 – – PSD38G16002S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 800 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD38G16002S
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DK060   50 四 5/15 151.59
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
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TDDK   425 二 5/6 152.82
IMXDK   125 三 5/7 162.32
DK231   28 二 5/6 174.27
CAPSE   33 二 5/6 185.83
DK060   7 四 5/15 208.41
DE168   125 四 5/8 216.12
SE576   33 四 5/8 251.49
APIDE   196 一 5/12 261.11
DE712   44 五 5/23 304.73
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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TDDK   312 二 5/6 152.82
IMXDK   215 三 5/7 162.32
DK231   27 二 5/6 174.27
DE168   215 四 5/8 216.12
APIDE   54 一 5/12 247.21
DE712   294 五 5/23 313.71
笔记本内存 – – OWC1600DDR3S4GB
Other World Computing - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OWC1600DDR3S4GB
笔记本内存 – – OWC1600DDR3S4GB Other World Computing - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OWC1600DDR3S4GB
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DK060   6 四 5/15 153.86
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 1600 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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IMXDK   36 三 5/7 154.74
DK060   50 四 5/15 205.00
DE168   36 四 5/8 208.53
APIDE   64 一 5/12 253.86
DE712   64 五 5/23 361.29
笔记本内存 – – KF432S20IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
笔记本内存 – – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
库存 数量 预计配送 价格
TDDK   32 二 5/6 155.36
IMXDK   25 三 5/7 168.95
CAPSE   19 二 5/6 188.77
DE168   25 四 5/8 211.98
SE576   19 四 5/8 254.49
APIDE   11 一 5/12 271.73
DE712   8 五 5/23 314.58
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
库存 数量 预计配送 价格
DK060   9 四 5/15 157.27
笔记本内存 – – V742002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
笔记本内存 – – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   5 四 5/8 157.84
DE712   5 五 5/23 345.23
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