samsung 990 pro mz-v9p4t0cw - ssd - šifrovaný - 4 tb

CZ
Anglie Austrálie Belgie Bosna a Herzegovina Brazílie Bulharsko Česká republika Čína Dánsko Estonsko Filipíny Finsko Francie Holandsko Hongkong Chile Chorvatsko Indie Indonézie Irsko Itálie Izrael Jižní Afrika Kanada Kolumbie Kypr Litva Lotyšsko Luxembursko Maďarsko Malajsie Maroko Mexiko Německo Norsko Nový Zéland Polsko Portugalsko Rakousko Rumunsko Řecko Singapur Slovensko Slovinsko Spojené Arabské Emiráty Srbsko Španělsko Švédsko Švýcarsko Turecko USA EU produkty a ceny
Česky
Česky Deutsch English Français Magyar Polski Русский Slovenčina

Afrikaans Български Català Dansk Ελληνικά English (AU) English (US) Español Eesti Suomi हिन्दी Hrvatski Bahasa Indonesia Italiano 日本語 Lietuvių Latviešu Bahasa Melayu Nederlands Norsk Português Română Slovenščina Srpski Svenska ไทย Filipino Türkçe 中文(简体) 中文(繁體)
Pomoc & Podpora

Kontakty Zobrazit mapu webu Reklamace
Přihlášení

Kategorie SSD disky

Kód produktu MZ-V9P4T0CW

Výrobce Samsung

Záruka 12 - 60 Měsíce

Obrázky jsou pouze pro ilustrativní účely

Sklad	ks skladem	Očekávané dodání	Cena
PL569	1	13.07.2026 Upřesníme	14 144,46
JCBEX2	20	16.07.2026 Upřesníme	15 772,42
ACMLT	50	09.07.2026 Upřesníme	19 349,40
PL111	15	08.07.2026 Upřesníme	23 510,91
JCBEX	0	Upřesníme	15 772,42
DSCDK	0	Upřesníme	15 822,21
DK773	2	10.07.2026 Upřesníme	19 323,81
Další distributoři Zobrazit pouze 3 nejlepší nabídky

Porovnat

Najít podobné

Popis výrobku: Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ: Jednotka SSD - interní
Kapacita: 4 TB
Integrovaný chladič: Ano
Šifrování hardwaru: Ano
Algoritmus šifrování: AES 256 bitů
Typ paměti typu flash NAND: Flash paměť MLC
Faktor tvaru: M.2 2280
Rozhraní: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Vlastnosti: Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, podpora TRIM, podpora funkce Device Sleep, technologie Garbage Collection, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Rozměry (ŠxHxV): 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Váha: 28 g

Typ zařízení: Jednotka SSD - interní
Kapacita: 4 TB
Šifrování hardwaru: Ano
Algoritmus šifrování: AES 256 bitů
Typ paměti typu flash NAND: Flash paměť MLC
Integrovaný chladič: Ano
Faktor tvaru: M.2 2280
Rozhraní: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Vlastnosti: Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, podpora TRIM, podpora funkce Device Sleep, technologie Garbage Collection, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Šířka: 24.3 mm
Hloubka: 80 mm
Výška: 8.2 mm
Váha: 28 g
Interní rychlost dat: 7450 MBps (čtení) / 6900 MBps (zápis)
Sekvenční psaní max. 4 KB: 1550000 IOPS (počet I/O operací za sekundu)
Maximum 4KB Random Read: 1600000 IOPS (počet I/O operací za sekundu)
MTBF: 1,500,000 hodiny
Rozhraní: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibilní slot: M.2 2280
Spotřeba energie: 5.5 watt (průměrná) ¦ 55 mW (v klidu)
Dodávaný software: Samsung Magician Software
Odpovídající standardům: IEEE 1667
Min provozní teplota: 0 °C
Maximální provozní teplota: 70 °C
Tolerance otřesů (provozní): 0,5 ms půlsinová
Tolerance otřesů (neprovozní): 1500 g