笔记本内存

Product parameters

CN
Israel Philippines 阿拉伯联合酋长国爱尔兰爱沙尼亚奥地利澳大利亚巴西保加利亚比利时波兰波斯尼亚和黑塞哥维那丹麦德国法国芬兰哥伦比亚荷兰加拿大捷克共和国克罗地亚拉脱维亚立陶宛卢森堡罗马尼亚马来西亚美国摩洛哥墨西哥南非挪威葡萄牙瑞典瑞士塞尔维亚塞浦路斯斯洛伐克斯洛文尼亚土耳其西班牙希腊新加坡新西兰匈牙利意大利印度印度尼西亚英国智利中国（中华人民共和国）中国香港
中文(简体)
English 中文(简体)

Afrikaans Български Català Česky Dansk Deutsch Ελληνικά English (AU) English (US) Español Eesti Suomi Français हिन्दी Hrvatski Magyar Bahasa Indonesia Italiano Lietuvių Latviešu Bahasa Melayu Nederlands Norsk Polski Português Română Русский Slovenčina Slovenščina Srpski Svenska ไทย Filipino Türkçe 中文(繁體)
帮助和支持

 联系支持查看站点地图保修和产品退货
登录

Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3

代码：

M471A1K43DB1-CWE

Compare

Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3

代码：

M471A1K43DB1-CWE

Compare

品牌

Samsung (1)

RAM技术

DDR4 SDRAM (1)

外形因素

SO-DIMM 260-pin (1)

RAM速度

3200MHz (1)

价格

CNY

应用