Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - para Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5

Categoria: DDR4
Codi KVR32S22S6/8
Marca Kingston
Garantia 0 Mes - Temps de vida
MARCA DEL FABR.
 
Desconegut
ALSBG
 
Desconegut
ASBBG
 
Desconegut
DE168
 
Desconegut
ELKRO
 
Desconegut
CZ017
 
Temps de vida
PL111
 
Desconegut
ALSDE-2
 
Desconegut
APIDE
 
Desconegut
DE712
 
Desconegut
JARDEG
 
12 Mesos
CZ016
 
120 Mesos
DK231
 
Desconegut
DK773
 
12 Mesos
FI896
 
Desconegut
Imatges només amb fins il·lustratius
Estoc Quant. Lliurament est. Preu
IVA
ALSBG 16 25/9/2024 ~ 4 setmanes 35,16
ASBBG 1+ 27/9/2024 ~ 4 setmanes 44,59
DE168 9 1/10/2024 ~ 4 setmanes 59,85
ELKRO 8 27/9/2024 ~ 4 setmanes 67,17
CZ017 2 2/10/2024 ~ 4 setmanes 72,53
PL111 30+ 1/10/2024 ~ 4 setmanes 74,23
ALSDE-2 11 1/10/2024 ~ 4 setmanes 74,32
APIDE 190 1/10/2024 ~ 4 setmanes 79,53
DE712 9 14/10/2024 ~ 4 setmanes 81,56
JARDEG 350 2/10/2024 ~ 4 setmanes 98,37
CZ016 92 2/10/2024 ~ 4 setmanes 99,56
DK231 3 30/9/2024 ~ 4 setmanes 161,52
DK773  453  18/10/2024 ~ 4 setmanes 69,76
FI896 0 ~ 4 setmanes 142,50
Descripción del producto
Kingston ValueRAM - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - sin búfer
Tipo de producto
Módulo de memoria
Capacidad
8 GB
Tipo de memoria
DDR4 SDRAM - SO-DIMM de 260 contactos
Tipo de actualización
Genérica
Comprobación integridad datos
No ECC
Velocidad
3200 MHz (PC4-25600)
Tiempos de latencia
CL22 (22-22-22)
Características
Fila única, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), dieciséis bancos, actualización automática de baja potencia (LPASR), soporte del modo DBI, sin búfer
Tensión
1.2 V
Blindaje de conector
Oro
Garantía del fabricante
Garantía limitada de por vida (Rusia - 10 años)
Diseñado para
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
Capacidad
8 GB
Tipo de actualización
Genérica
Anchura
69.9 mm
Profundidad
2.45 mm
Altura
30 mm
Tipo
DRAM módulo de memoria
Tecnología
DDR4 SDRAM
Factor de forma
SO-DIMM de 260 contactos
Altura del módulo (pulgadas)
1.18
Velocidad
3200 MHz (PC4-25600)
Tiempos de latencia
CL22 (22-22-22)
Comprobación integridad datos
No ECC
Características
Fila única, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), dieciséis bancos, actualización automática de baja potencia (LPASR), soporte del modo DBI, sin búfer
Configuración de módulos
1024 x 64
Organización de los chips
1024 x 16
Tensión
1.2 V
Blindaje de conector
Oro
Cumplimiento de normas
RoHS, libre de halógenos, JEDEC
Servicio y mantenimiento
Garantía limitada de por vida (Rusia - 10 años)
Diseñado para
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5