Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5

Kategoria DDR4
Kod produktu KVR32S22S6/8
Marka Kingston
Gwarancja 0 Miesiąc - Lifetime
Manufacturer (by 1WorldSync)
 
Nieznany
ALSBG
 
Nieznany
ASBBG
 
Nieznany
DE168
 
Nieznany
ELKRO
 
Nieznany
CZ017
 
Lifetime
PL111
 
Nieznany
ALSDE-2
 
Nieznany
APIDE
 
Nieznany
DE712
 
Nieznany
JARDEG
 
12 Miesięcy
CZ016
 
120 Miesięcy
DK231
 
Nieznany
DK773
 
12 Miesięcy
FI896
 
Nieznany
Zdjęcia tylko dla celów ilustracyjnych!
Magazyn Dostępność Przewidywany czas dostawy Cena
VAT
ALSBG 16 25.09.2024 Nieznany 35,16
ASBBG 1+ 27.09.2024 Nieznany 44,59
DE168 9 01.10.2024 Nieznany 59,85
ELKRO 8 27.09.2024 Nieznany 67,17
CZ017 2 02.10.2024 Nieznany 72,53
PL111 30+ 01.10.2024 Nieznany 74,23
ALSDE-2 11 01.10.2024 Nieznany 74,32
APIDE 190 01.10.2024 Nieznany 79,53
DE712 9 14.10.2024 Nieznany 81,56
JARDEG 350 02.10.2024 Nieznany 98,37
CZ016 92 02.10.2024 Nieznany 99,56
DK231 3 30.09.2024 Nieznany 161,52
DK773  453  18.10.2024 Nieznany 69,76
FI896 0 Nieznany 142,50
Opis produktu
Kingston ValueRAM - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - niebuforowana
Typ produktu
Moduł pamięci
Pojemność
8 GB
Typ pamięci
DDR4 SDRAM - SO-DIMM 260-pin
Sposób rozbudowy
Standardowy
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Szybkość
3200 MHz (PC4-25600)
Latency Timings
CL22 (22-22-22)
Cechy
Moduł Jednostronny, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), 16 banków, Automatyczne odświeżanie przy niskiej mocy (LPASR), obsługa trybu DBI, niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Powłoka łączówki
Złoto
Gwarancja producenta
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta) (Rosja - 10 lat)
Zaprojektowany dla
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
Pojemność
8 GB
Sposób rozbudowy
Standardowy
Szerokość
69.9 mm
Głębokość
2.45 mm
Wysokość
30 mm
Typ
DRAM moduł pamięci
Technologia
DDR4 SDRAM
Rodzaj obudowy
SO-DIMM 260-pin
Wysokość modułu (w calach)
1.18
Szybkość
3200 MHz (PC4-25600)
Latency Timings
CL22 (22-22-22)
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Charakterystyka
Moduł Jednostronny, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), 16 banków, Automatyczne odświeżanie przy niskiej mocy (LPASR), obsługa trybu DBI, niebuforowana
Konfiguracja modułów
1024 x 64
Architektura układów scalonych
1024 x 16
Napięcie
1.2 V
Powłoka łączówki
Złoto
Zgodność z normami
RoHS, Bezhalogenowa, JEDEC
Obsługa i wsparcie
Ograniczona gwarancja dożywotnia (do 5 lat od wycofania z produkcji/sprzedaży przez producenta) (Rosja - 10 lat)
Zaprojektowany dla
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5