笔记本内存

Product parameters

有库存 (145)
所有 (145)
配送者: 三 25/09 (145)
交付日期： 星期三 25/09 (145)星期四 26/09 (198)星期五 27/09 (451)星期一 30/09 (534)星期二 01/10 (534)
品牌
Kingston (90)Crucial (6)Dell (8)Samsung (3)Transcend (11)Synology (8)V7 (12)HP Inc. (3)QNAP Systems (4)
RAM速度
 - 
价格
 - 
  EUR
应用
搜索
重启
笔记本内存 – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
笔记本内存 – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   2 三 9/25 15.54
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   4 三 9/25 16.10
笔记本内存 – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
笔记本内存 – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   1 三 9/25 16.65
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
笔记本内存 – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
库存 数量 预计配送 价格
NL326   2 三 9/25 16.92
笔记本内存 – – V753002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
笔记本内存 – – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   2 三 9/25 17.22
笔记本内存 – – V7106008GBS
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
笔记本内存 – – V7106008GBS V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   7 三 9/25 18.31
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
笔记本内存 – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
库存 数量 预计配送 价格
NL326   25 三 9/25 18.53
笔记本内存 – – AB949333
Dell - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AB949333
笔记本内存 – – AB949333 Dell - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AB949333
库存 数量 预计配送 价格
TDBE   1 三 9/25 19.89
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
笔记本内存 – – V7149008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1866 MHz / PC3-14900 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7149008GBS-LV
库存 数量 预计配送 价格
NL326   3 三 9/25 19.98
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
笔记本内存 – – JM3200HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSH-4G
库存 数量 预计配送 价格
TDBE   346 三 9/25 20.26
COPBE   2 三 9/25 31.31
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
笔记本内存 – – JM2666HSH-4G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSH-4G
库存 数量 预计配送 价格
TDBE   3 三 9/25 21.63
COPBE   4 三 9/25 31.31
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
笔记本内存 – – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213008GBS-SR
库存 数量 预计配送 价格
NL326   6 三 9/25 22.19
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
笔记本内存 – – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/4
库存 数量 预计配送 价格
NL326   7 三 9/25 23.04
TDBE   32 三 9/25 23.24
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
笔记本内存 – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
库存 数量 预计配送 价格
NL326   10 三 9/25 23.04
TDBE   2 三 9/25 23.24
COPBE   15 三 9/25 33.39
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
库存 数量 预计配送 价格
DE501   100 三 9/25 23.34
笔记本内存 – – V732001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
笔记本内存 – – V732001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V732001GBS
库存 数量 预计配送 价格
NL326   2 三 9/25 23.35
笔记本内存 – – KCP432SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
笔记本内存 – – KCP432SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/4
库存 数量 预计配送 价格
TDBE   89 三 9/25 24.21
NL326   2 三 9/25 24.31
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
库存 数量 预计配送 价格
NL326   230 三 9/25 24.39
TDBE   192 三 9/25 24.66
COPBE   1 三 9/25 34.70
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
库存 数量 预计配送 价格
NL326   51 三 9/25 24.39
TDBE   112 三 9/25 24.66
COPBE   32 三 9/25 34.70
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
库存 数量 预计配送 价格
NL326   1 三 9/25 24.39
TDBE   77 三 9/25 24.66
Please give your consent to allow us to use cookies to make your browsing experience better. Read our Cookie Policy.
I accept