笔记本内存

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笔记本内存 – – V7192004GBS-X16
V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7192004GBS-X16
笔记本内存 – – V7192004GBS-X16 V7 - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7192004GBS-X16
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IMAT   0 ~ 4周 18.38
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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IMAT   0 ~ 4周 20.54
笔记本内存 – – GPM1333NS3C92GBN
Panram PRINCETON - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GPM1333NS3C92GBN
笔记本内存 – – GPM1333NS3C92GBN Panram PRINCETON - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GPM1333NS3C92GBN
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APIAT   0 ~ 4周 22.01
笔记本内存 – – MN8GSD43200-TB
PNY Performance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MT / s / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MN8GSD43200-TB
笔记本内存 – – MN8GSD43200-TB PNY Performance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MT / s / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MN8GSD43200-TB
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ALSAT4   0 ~ 4周 22.88
APIAT   0 ~ 4周 38.41
DK773   0 ~ 4周 103.61
DK773   0 ~ 4周 103.61
笔记本内存 – – V7256008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
笔记本内存 – – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
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IMAT   0 ~ 4周 23.62
笔记本内存 – – MN4GSD42666
PNY - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MN4GSD42666
笔记本内存 – – MN4GSD42666 PNY - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MN4GSD42666
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ALSAT4   0 ~ 4周 26.08
DK773   0 ~ 4周 85.32
DK773   0 ~ 4周 85.32
笔记本内存 – – KVR16S11S8/4
Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11S8/4
笔记本内存 – – KVR16S11S8/4 Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16S11S8/4
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ALSAT4   61 五 12/19 26.18
IMAT   8 四 12/18 39.60
CZ017   10 三 12/17 45.00
CZ016   18 三 12/17 45.30
JCBAT2   61 二 12/30 46.51
APIAT   3 三 12/17 51.47
KOSAT   61 三 12/24 55.58
SYAT   1 三 12/17 70.00
DK773   0 ~ 4周 59.71
DK773   0 ~ 4周 59.71
笔记本内存 – – MEM5003A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5003A
笔记本内存 – – MEM5003A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5003A
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CZ148   1 三 12/17 27.49
笔记本内存 – – MEM0802A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM0802A
笔记本内存 – – MEM0802A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM0802A
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CZ148   4 三 12/17 27.49
笔记本内存 – – S26361-F4102-L3
Fujitsu - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ESPRIMO Q558, Q958, Q958 / MRE
代码：
S26361-F4102-L3
笔记本内存 – – S26361-F4102-L3 Fujitsu - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for ESPRIMO Q558, Q958, Q958 / MRE
代码：
S26361-F4102-L3
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DK773   0 ~ 4周 27.52
DK773   0 ~ 4周 27.52
笔记本内存 – – MEM5302A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5302A
笔记本内存 – – MEM5302A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5302A
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CZ148   2 三 12/17 27.80
笔记本内存 – – CMSX4GX4M1A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX4GX4M1A2400C16
笔记本内存 – – CMSX4GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX4GX4M1A2400C16
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LITAT   0 ~ 4周 29.23
DK773   0 ~ 4周 51.66
DK773   0 ~ 4周 51.66
笔记本内存 – – S26361-F4407-E3
Fujitsu - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
S26361-F4407-E3
笔记本内存 – – S26361-F4407-E3 Fujitsu - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
S26361-F4407-E3
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JCBAT   1 二 12/23 29.81
JCBAT2   1 二 12/30 29.81
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
JCBAT2   50 二 12/30 64.68
笔记本内存 – – MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
CoreParts - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
笔记本内存 – – MMDDR2-5300/1GBSO-128M8 CoreParts - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMDDR2-5300/1GBSO-128M8
库存 数量 预计配送 价格
DK773   0 ~ 4周 30.44
DK773   0 ~ 4周 30.44
笔记本内存 – – V727001GBS
V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
笔记本内存 – – V727001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
V727001GBS
库存 数量 预计配送 价格
IMAT   0 ~ 4周 31.10
笔记本内存 – – TED34G1600C11-S01
Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
笔记本内存 – – TED34G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
库存 数量 预计配送 价格
DK773   0 ~ 4周 31.91
DK773   0 ~ 4周 31.91
笔记本内存 – – KVR52S42BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5200 MT / s / PC5-41600 - CL42 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR52S42BS6-8
笔记本内存 – – KVR52S42BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5200 MT / s / PC5-41600 - CL42 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码：
KVR52S42BS6-8
库存 数量 预计配送 价格
AT094   0 ~ 4周 31.98
SYAT   0 ~ 4周 105.97
笔记本内存 – – SP008GLSTU160N02
SILICON POWER - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GLSTU160N02
笔记本内存 – – SP008GLSTU160N02 SILICON POWER - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MT / s / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SP008GLSTU160N02
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APIAT   0 ~ 4周 32.62
DK773   0 ~ 4周 67.02
DK773   0 ~ 4周 67.02
笔记本内存 – – OM4G42666SO2RX8NE12
Origin Storage - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OM4G42666SO2RX8NE12
笔记本内存 – – OM4G42666SO2RX8NE12 Origin Storage - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OM4G42666SO2RX8NE12
库存 数量 预计配送 价格
IMAT   0 ~ 4周 33.04
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ
G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
笔记本内存 – – F3-8500CL7S-4GBSQ G.Skill SQ Series - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
F3-8500CL7S-4GBSQ
库存 数量 预计配送 价格
APIAT   0 ~ 4周 34.78
DK773   0 ~ 4周 47.27
DK773   0 ~ 4周 47.27
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